Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) создали прототип ионного источника, который подходит для сильноточных имплантеров – разновидность ускорителей, используемая в производстве современной микроэлектроники. Этот результат был озвучен на традиционной пресс-конференции, посвященной итогам года в Институте ядерной физики СО РАН.
«Сегодня мы все пользуемся портативными электронными устройствами, которые имеют такие размеры благодаря тому, что их работа основана на полупроводниках, а не на ламповой электронике. Создание полупроводниковых пластин занимает несколько месяцев, и требует нескольких сотен операций. Но самым важным и сложным оборудованием в этом процессе являются ионные имплантеры и литографы», — рассказал заместитель директора по научной работе ИЯФ СО РАН, член-корр. РАН Евгений Левичев.
Ведущими производителями такого оборудования являются западные компании, которые после начала СВО, ушли с российского рынка, а передовые образцы подобной техники не поставляли в нашу страну и ранее, лидерам отрасли не нужны новые конкуренты.
Сейчас перед экономикой стоит сложная задача – развитие производства собственной микроэлектроники до передового мирового уровня. Достижение этой цели, по оценкам экспертов, потребует решения множества сложнейших научно-технических задач. Ранее «Континент Сибирь» рассказывал, что ИЯФ СО РАН участвует в работе по созданию российских литографов.
Параллельно ученые занимались созданием ключевых компонентов для ионных имплантеров – устройств, с помощью которых кремниевая пластина насыщается различными примесями (бора, фтора, мышьяка), которые и придают ей нужные свойства полупроводника.
«Наши ученые использовали сотрудники создали ионный источник, который несколько отличается от современных западных аналогов по принципу работы и за счет этого превосходит их по ряду важных параметров», ─ подчеркнул Евгений Левичев.
В коллаборации с предприятиями Зеленограда (АО «НИИТМ» и АО «НИИМЭ»), специалисты ИЯФ СО РАН работают над двумя имплантерами, один будет более точным, другой – более высоковольтный. Первый будет передан партнерам до конца следующего года, второй – в 2026 году. И это, по словам Евгения Левичева, станет серьезным шагом к обеспечению технологического суверенитета России в области микроэлектроники.
- Войдите или зарегистрируйтесь, чтобы отправлять комментарии