Российский научный фонд подвел итоги конкурса на получение грантов по мероприятиям «Проведение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере» и «Проведение прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере» по направлению «Микроэлектроника».
Среди десяти победителей — проект Института физики полупроводников им. А.В Ржанова СО РАН «Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой».
«Мы будем разрабатывать технологию создания германиевых слоев для фотоприемников, использующихся в фотонных интегральных схемах (ФИС), заказчик технологического предложения по этому проекту — АО “Зеленоградский нанотехнологический центр” (АО “ЗНТЦ”). Ключевые компоненты фотонной интегральной схемы: лазер, фотоприемник, электронные компоненты для обработки оптического сигнала. Лазер будут делать коллеги из Физико-технического института им А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), а мы отвечаем за полупроводниковый материал для фотоприемника. Разработкой всей фотонной интегральной схемы займется АО “ЗНТЦ”», — рассказал руководитель проекта заведующий лабораторией ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Александр Иванович Никифоров.
На чипе ФИС объединены оптические и электронные компоненты, поэтому использование ФИС позволяет увеличить скорость обработки и передачи данных в несколько десятков или даже сотен раз. Сейчас ФИС широко применяются в телекоммуникациях, в трансиверах ― приборах, необходимых для одновременной обработки и передачи светового сигнала, пришедшего по оптическому волокну. Трансиверы по новым технологиям планирует производить АО «ЗНТЦ».
«В ходе выполнения гранта, мы сделаем опытные образцы фоточувствительного материала, отработаем технологию роста и передадим ее АО “ЗНТЦ”», — пояснил Александр Никифоров.
Реализация проекта запланирована в течение двух лет, финансирование составит 30 млн рублей ежегодно.
Пресс-служба Института физики полупроводников
- Войдите или зарегистрируйтесь, чтобы отправлять комментарии